삼성전자, 낸드 8조원 투자...中 초격차 벌린다
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삼성전자, 낸드 8조원 투자...中 초격차 벌린다
평택캠퍼스 2라인 낸드플래시 생산라인 구축
2021년 하반기 양산...7세대 제품 생산 전망
  • by 강필원 기자
사진=평택캠퍼스 P2 라인 전경
사진=평택캠퍼스 P2 라인 전경
 

삼성전자가 경기도 평택캠퍼스에 극자외선(EUV) 기반 반도체 위탁생산(파운드리)를 구축한다고 밝힌지 10일 만에 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 증설한다.

시스템반도체 분야 133조원 투자를 통해 세계 1위로 올라서겠다는 ‘반도체2030’과 포스트 코로나 시대 이후 급변하는 글로벌 환경에 빠르게 대응해 업계 입지를 굳혀나가겠다는 의지로 보인다.

삼성전자는 1일 4차 산업혁명 도래와 5G 시대가 도래함에 따라 앞으로 있을 낸드플래시 메모리 수요를 대비하기 위해 평택캠퍼스 2라인에 생산라인을 증설하는 투자를 단행한다고 밝혔다.

낸드플래시는 D램과 함께 메모리 반도체 대표 제품이다. 전원을 끄면 저장된 내용이 사라지는 D·S램과 달리 전원이 없는 상태에도 데이터를 계속 유지하기에 ‘비휘발성 메모리’로 불린다.

스마트폰에 탑재되는 메모리 종류가 낸드플래시다.

삼성전자에 따르면 이미 지난 5월 평택캠퍼스 2라인 증설을 위한 공사에 착수했다.

낸드플래시 양산은 오는 2021년 하반기에 착수할 것으로 관측되며, 투자 규모는 8조원가량으로 알려졌다.

 

사진=삼성전자 평택캠퍼스 항공사진
사진=삼성전자 평택캠퍼스 항공사진
 

증설 라인에서는 차세대 낸드플래시 ‘V낸드’가 생산된다. 이 메모리는 단층구조를 수평으로 나열하는 기존 제품과 달리 수직으로 쌓아올린 적층구조가 특징이다.

속도는 더 빠르고 전력소모는 더 적으며 수명도 더 길다.

예컨대 기존 낸드플래시가 제한된 공간에 지어진 단독주택이라면, V낸드는 높이 쌓아올린 아파트에 가깝다.

공간의 물리적 한계를 위로 쌓아올리는 방식으로 해결하는 차세대 메모리반도체다.

삼성전자는 지난 2015년 30조원을 투자해 평택캠퍼스를 짓고 메모리 반도체 생산 전담 기지로 활용했다.

지난 5월 말에는 이곳에 EUV 파운드리를 구축하고 2021년부터 본격 가동하겠다고 밝힌 바 있다. 

이는 명실상부 삼성전자를 대표하는 메모리 생산기지로 입지를 확고히 하겠다는 것으로 보인다.

또 ‘반도체 굴기’를 내세워 빠른 속도로 뒤를 쫓는 중국의 추격을 벗어나 확신한 ‘초격차’를 벌리겠다는 의지로 보인다.

앞서 삼성전자는 지난해 7월 세계 최초 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다.

중국 국영기업 YMTC는 올해 초 6세대 128단 3D 낸드플래시 개발을 마치고 연말부터 양산한다고 밝힌 바 있다. 

 

사진=삼성전자 6세대 V낸드 SSD
사진=삼성전자 6세대 V낸드 SSD
 

삼성전자는 중국이 6세대를 생산하는 시기에 발맞춰 평택캠퍼스 내 과감한 메모리 반도체 생산라인 투자로 7세대 낸드플래시를 생산할 것으로 알려졌다.

중국과 기술력 격차를 더욱 벌려 글로벌 반도체 1위를 달성하겠다는 의미다.

이재용 삼성전자 부회장은 앞서 EUV 파운드리 생산라인 구축 당시 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 말했다.

반도체 전문 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 삼성전자는 지난 1분기 글로벌 낸드플래시 시장에서 점유율(매출기준) 33.3%로 1위를 기록했다. 

다만 미중 무역분쟁, 신종 코로나 바이러스 감염증(코로나19) 글로벌 확산 등 위협적인 불확실성이 잔존한 상황이다. 

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 말했다.

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강필원 기자 yjh90815@sundog.kr


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